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哈尔滨工业大学王懿杰教授：GaN基高频谐振功率变换技术
王懿杰，IEEE Senior Member，哈尔滨工业大学教授、博士生导师，2005年、2007年与2012年于哈尔滨工业大学获得学士、硕士和博士学位。从事照明电子、无线电能传输技术、高频以及超高频功率变换技术研究。
共发表SCI/EI检索文章150余篇，授权发明专利16项，受理25项。曾获中国电源学会第21、22届学术年会优秀论文奖，IEEE ICEMS 2019会议最优论文奖，IEEE ITEC Asia-Pacific 2017会议最优论文奖，IEEE ITEC Asia-Pacific 2018会议最优论文奖、IEEE ICEMS 2018会议最优论文奖、“电力电子技术”杂志2017年优秀论文一等奖、IEEE Transactions on Power Electronics 2017 Prize Paper Award、IEEE Transactions on Power Electronics 2018 Prize Paper Award、IEEE Transactions on Industry Applications 2018 Prize Paper Award、PCIM Asia 2015会议Young Engineer Award提名奖，获得国家自然科学基金优秀青年科学基金资助，黑龙江省优秀青年基金资助，入选哈尔滨市青年后备人才计划，哈工大青年拔尖人才选聘计划以及哈工大基础研究杰出人才III类。
担任SCI期刊IEEE TIE、IEEE JESTPE、IEEE Access、IET PEL、JPE副主编；曾担任SCI期刊IEEE TIE客座主编、IEEE JESTPE客座副主编以及中文核心期刊“电力电子技术”特邀主编；担任中国电源学会理事、照明电源专业委员会副主任委员、器件专业委员会委员、青年工作委员会委员，中国电工技术学会电力电子学会理事。
电力电子领域：由于材料特性的差异，SiC适用于高于1200V的高电压大功率应用场合，而GaN器件更适用于40-1200V的高频应用，GaN在600V/3KW以下的应用场合更占优势，在微型逆变器、伺服器、马达驱动、UPS等领域与传统的MOSFET或IGBT展开竞争，让电源产品更为轻薄、高效。
射频领域：与目前在RF领域占统治地位的LDMOS器件相比，采用0.25微米工艺的GaN器件频率可高达其4倍，带宽可增加20%，功率密度可达8W/mm3(LDMOS为1~2W/mm3)，且无故障工作时间可达100万小时，更耐用，综合性能优势明显，5G的商用无疑会推动GaN在射频市场的快速发展。
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